Технология ионно-кластерной полировки кристаллических подложек для микроэлектроники
Технология ионно-кластерной полировки кристаллических подложек для микроэлектроники
- ПроблемаНа настоящий момент, производство отечественных кристаллических подложек для микроэлектроники с размером транзисторов ниже 12 нм, сдерживается, в том числе, отсутствием производительных методов их полировки с низкой (субнанометровой) шероховатостью поверхности.
- ТехнологияВ НГУ разработана, запатентована и продемонстрирована технология ионно-кластерной полировки кристаллических подложек, с шероховатостью поверхности не более 1 нм. Технология основана на обработке кристаллических подложек газоструйными ионно-кластерными пучками атомов аргона в вакуумном реакторе, включающим систему подачи газа через сверхзвуковое сопло, ионизатор кластеров аргона, фокусирующую ионно-оптическую систему и магнитный сепаратор.
- НовизнаВпервые разработан высокопроизводительный технологический процесс ионно-кластерной полировки кристаллических подложек с шероховатостью поверхности менее 1 нм.
- Преимущества
- Высокую производительность полировки - до 100 кв. см./час
- Высокое качество полировки – шероховатость от 10 ангстрем до 1 нм
- Универсальность - широкий спектр материалов от полупроводников до диэлектриков
- Формы сотрудничества
- Лицензионные соглашения на использование технологии
- Техническое содействие при внедрении технологии
- Область примененияМикроэлектроника, лазерная техника
- УГТ: 7
- Интеллектуальная собственностьПатент РФ на изобретение, приоритет 2023 г.